銻化鎵（GaSb）基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述：

GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因?yàn)镚aSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y(cè)器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。GaS單晶材料的主要生長(zhǎng)方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進(jìn)的LEC技術(shù)、移動(dòng)加熱法/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VBG）等。

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產(chǎn)品詳細(xì)

　　GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因?yàn)?span lang="EN-US">GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y(cè)器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。GaS單晶材料的主要生長(zhǎng)方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進(jìn)的LEC技術(shù)、移動(dòng)加熱法/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VBG）等。

晶體	GaSb
結(jié)構(gòu)	立方 a=6.094A
晶向	<100>
熔點(diǎn)	712oC
密度	5.53g/cm3
禁帶寬度	0.67

單晶	摻雜	導(dǎo)電類型		載流子濃度 cm-3	遷移率(cm2/V.s)	位錯(cuò)密度(cm-2)	標(biāo)準(zhǔn)基片
GaSb	本征	P		(1-2)*1017	600-700	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Zn	P		(5-100)*1017	200-500	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Te	N		(1-20)´1017	2000－3500	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告
拋光			單面或雙面
包裝			100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室