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磁性與鐵電薄膜基片

釓鎵石榴石(GGG)單晶基片

產(chǎn)品簡述:

釓鎵石榴石(GGG)單晶基片是用于磁光薄膜的專用基片。在光通訊設(shè)備中,需大量使用1.3μ及1.5μ的光隔離器,其核心部件為置于磁場中的YIG或BIG薄膜。不同切向的GGG單晶基片可以做到與這類磁光材料晶格的最佳匹配,從而保證YIG、BIG薄膜成功的外延生長。GGG良好的物理、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定 性也保證薄膜制備過程中對基片的各項(xiàng)要求。GGG也是制作微波隔離器的最佳基片材料。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  釓鎵石榴石(GGG)單晶基片是用于磁光薄膜的專用基片。在光通訊設(shè)備中,需大量使用1.3μ及1.5μ的光隔離器,其核心部件為置于磁場中的YIG或BIG薄膜。不同切向的GGG單晶基片可以做到與這類磁光材料晶格的最佳匹配,從而保證YIG、BIG薄膜成功的外延生長。GGG良好的物理、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定 性也保證薄膜制備過程中對基片的各項(xiàng)要求。GGG也是制作微波隔離器的最佳基片材料。

釓鎵石榴石(GGG)單晶基片主要性能參數(shù)

生長方法

提拉法

晶格常數(shù)

a=12.376Å,(Z=8) 

熔點(diǎn)(℃)

1800

純度

99.95%

密度(g/cm3)

7.09

硬度

6-7(mohs)

折射率

1.95

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm

厚度

0.5mm,1.0mm

拋光

單面或雙面

晶向

<111>,<100>

晶面定向精度:

±0.5°

邊緣定向精度:

2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))

斜切晶片

可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5Å(5µm×5µm)

包裝

100級潔凈袋,1000級超凈室

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