氧化鋅(ZnO)單晶基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述：

氧化鋅(ZnO)單晶基片是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見(jiàn)光發(fā)光材料．同時(shí)由于具有可見(jiàn)區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來(lái)的5GHz之外的無(wú)線通信、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。氧化鋅(ZnO)單晶基片是一種直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料,是一種具有發(fā)光、電光、閃爍、半導(dǎo)體等性能的多功能晶體，是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料，在短波長(zhǎng)發(fā)光器件方面如 LEDs、LDs具有...

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產(chǎn)品詳細(xì)

　　氧化鋅(ZnO)單晶基片是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見(jiàn)光發(fā)光材料．同時(shí)由于具有可見(jiàn)區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來(lái)的5GHz之外的無(wú)線通信、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。
　　氧化鋅(ZnO)單晶基片是一種直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料,是一種具有發(fā)光、電光、閃爍、半導(dǎo)體等性能的多功能晶體，是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料，在短波長(zhǎng)發(fā)光器件方面如 LEDs、LDs具有很大的發(fā)展?jié)摿?，成為繼GaN后在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域又一研究熱點(diǎn)。

氧化鋅(ZnO)單晶基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)	六方
晶格常數(shù)	a=3.252Å c=5.313 Å
密度	5.7（g/cm3）
硬度	4（mohs）
熔點(diǎn)	1975℃
熱膨脹系數(shù)	6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
熱容	0.125 cal /g.m
熱電常數(shù)	1200 mv/k @ 300 ℃
熱導(dǎo)	0.006 cal/cm/k
透過(guò)范圍	0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向	<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸（mm）	25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告
拋光	單面或雙面
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室