氧化鋅(ZnO)單晶基片是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同時由于具有可見區(qū)透明，機電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。氧化鋅(ZnO)單晶基片是一種直接帶隙的寬禁帶半導體材料,是一種具有發(fā)光、電光、閃爍、半導體等性能的多功能晶體，是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關鍵基片 材料，在短波長發(fā)光器件方面如 LEDs、LDs具有...
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晶體結構
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六方
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晶格常數(shù)
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a=3.252Å c=5.313 Å
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密度
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5.7（g/cm3）
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硬度
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4（mohs）
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熔點
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1975℃
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熱膨脹系數(shù)
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6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
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熱 容
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0.125 cal /g.m
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熱電常數(shù)
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1200 mv/k @ 300 ℃
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熱 導
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0.006 cal/cm/k
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透過范圍
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0.4-0.6 um > 50% at 2mm
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晶向
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<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
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尺寸（mm）
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25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 |
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拋光
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單面或雙面
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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