氮化鋁(AlN)陶瓷基片

產品簡述：

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產品詳細

　　氮化鋁具有優(yōu)良的導熱性（為氧化鋁陶瓷的 5-10倍），較低的介電常數和介質損耗，可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，且與硅的熱膨脹系數相近，廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。我司可按客戶要求生產各種規(guī)格尺寸形狀的產品。
　　氮化鋁（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導率大于140W/m.k）、較低的介電常數（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點，化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
　　氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，電性能好、熱膨脹系數與Si片接近,強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
　　主要應用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等產品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。特點：熱導率高、電性能好、熱膨脹系數與Si片接近、無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。

產品特點

高導熱性
熱膨脹系數跟Si接近
優(yōu)良的絕緣性能
較低介電常數和介質損耗

AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標

體積密度 (g/cm3)	3.335
抗熱震性	無裂紋、炸裂
熱導率 (30℃, W/m.k)	≥170
膨脹系數 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)	2.805×10-6
抗折強度 (MPa)	382.7
體積電阻率(Ω.cm)	1.4×1014
介電常數(1MHz)	8.56
化學穩(wěn)定性 (mg/cm2)	0.97
擊穿強度 (KV/mm)	18.45
表面粗糙度(μm)	0.3~0.5
翹曲度(length‰)	≤2‰
外觀/顏色	致密、細晶/ 暗灰色